全球存储芯片价格连涨两年，手机厂商等下游厂商怨声载道接连投诉后，三大存储芯片巨头终于迎来了中国反垄断机构的调查。

　　据报道，5月31日，中国反垄断机构派出多个工作小组，分别对三星、海力士、美光三家公司位于北京、上海、深圳的办公室展开“突袭调查”和现场取证，标志着中国反垄断机构正式对三家企业展开立案调查。

　　对此，三星中国公司相关负责人对媒体确认了上述消息，“5月31日有过现场调查，目前我们正在协助调查，中国三星在接受问询当中。”

　　存储芯片连涨两年，势头不减

　　自2016年三季度以来,存储芯片价格上涨周期已经持续了近两年时间，且仍没有停止的迹象。据有关数据，从2016年6月1日到2018年2月1日，4GB的DRAM内存价格上涨了130%。仅在2017年，DRAM内存价格就上涨了47%，创下近30年来最大涨幅。

　　信达证券认为，本次存储器价格大幅增长的原因主要有两个：一是下游需求快增长，随着云计算、物联网、大数据、汽车电子、消费电子等产业的快速发展，存储器的需求越来越高，以智能手机为例，除苹果在运行内存方面比较保守，4GB内存已成为安卓千元机标配，内存需求越来越高;二是供给端产能下降，DDR3升级到DDR4，DRAM产能转去生产3DNAND，部分存储器厂商由生产2DNAND转向生产3DNAND，建厂周期较长影响了存储芯片的供应。

　　此外，高度集中的市场格局也是存储芯片价值保持高位的重要原因。目前，三星、海力士、美光是全球三大存储芯片巨头，在DRAM(动态存储)、NAND Flash(闪存)两大产品线中占据全球绝大多数市场份额。

　　根据市场调研机构发布的数据，在DRAM市场，三星、海力士、美光的市场份额分别为44.5%、27.9%、22.9%，三家合计占比95.3%，几乎垄断整个市场;在NAND市场，三星、海力士、美光的市场份额分别为39%、10.5%、11.3%，三家合计也高达60.8%。

　　存储芯片涨价潮让三家公司赚得盆满钵满。根据美光、三星、海力士财报统计，2017年，三家公司的半导体业务在中国营收分别为103.88亿美元、253.86亿美元、89.08亿美元，总计446.8亿美元，同比2016财年的321亿美元增长39.16%。

　　尤其是三星公司，在Note7"爆炸门"后，其手机品牌形象受到重创。但是，三星在手机市场上丧失的利润，却在芯片领域加倍要了回来。财报显示，2017年三星营收239.58兆韩元(约合2238亿美元)，同比增长18.7%，营业利润53.65兆韩元(约合501.7亿美元)，同比增长83.5%，净利润42.19兆韩元(约合394.6亿美元)，同比增长85.7%。

　　2017年，半导体业务营业收入只占三星总营收的20%，但贡献了65.64%的净利润。其中，三星半导体业务在中国营收253.86亿元，占半导体业务总营收近51%。凭借着半导体业务的强势增长，三星在全球芯片市场的排位更是在去年第二季度超过了老大英特尔。

　　根据相关规定，可以让这些企业缴纳销售额1%-10%的罚款，这次反垄断调查，如果裁定三大巨头存在价格垄断行为，以2016-2017年度销售额进行处罚，那么罚金将在8亿美元-80亿美元之间。

　　中国厂商成涨价最大受害者

　　目前，中国是全球最主要的存储芯片消费国。根据研究公司TrendForce提供的数据显示，中国消耗了全球20%的DRAM内存芯片和25%的NAND闪存芯片。海关数据显示，2017年中国进口存储器889.21亿美元，同比2016年的637.14亿美元增长了39.56%。

　　三星内存条

　　芯片价格飙涨让中国的手机厂商等承受了巨大的成本压力，一时间中国智能手机市场也被迫掀起了一波涨价潮。去年12月，曾有手机厂商因为存储器价格上涨和供应不畅，向发改委对三星提出了检举。

　　今年4、5月份，有美国消费者也对三星等厂商进行了指控，称其操控内存行业零售价格。4月27日，美国律师事务所Hagens Berman在加州北部地区法院对美光、三星、海力士发起反垄断集体诉讼。该律师事务所称，调查显示，DRAM制造商协商同意通过限制DRAM的供应来提高DRAM的价格。

　　事实上，存储芯片寡头之间形成价格联盟并非首次。三星曾被指控从 1999 年到 2002 年人为抬高 DRAM 价格。海力士也被指控价格垄断阴谋。2002年，美国司法部向美光、三星、海力士、英飞凌等公司的价格垄断行为展开调查。

　　2005-2006年，三星、海力士、英飞凌、尔必达先后承认价格垄断行为，别被罚款3亿美元、1.85 亿美元、1.6 亿美元、8400万美元，总计7.29 亿美元。美光因率先认罪并协助调查而免于处罚。

　　三大阵营稳步推进，2019年有望成国产存储芯片量产元年

　　为了摆脱受制于人的局面，掌握行业话语权，中国在芯片领域重金投入。研究机构指出，中国存储器产业目前以投入NAND Flash市场的长江存储、专注于行动式内存的合肥长鑫，以及致力于利基型内存晋华集成三大阵营为主。以目前三家厂商的进度来看，其试产时间预计将在2018年下半年，随着三大阵营的量产的时间可能皆落在2019年上半年，揭示着2019年将成为中国存储器生产元年。

　　长江存储

　　2015年11月，紫光国芯发布定增额度预案，在存储器领域投入932亿元建设存储芯片工厂。而后，又认购多家半导体存储器领域封测厂股份，并在收购武汉新芯后成立长江存储，着力发展大规模存储器。

　　今年4月5日，长江存储首批400万美元的精密仪器开始进场安装，标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段。5月19日，价值7200万美元的首台193nm浸润式光刻机抵达武汉，将成为长江存储的第一台光刻机，用于生产14nm~20nm工艺芯片。

　　根据长江存储规划，预计7月底或8月初具备试生产条件，年内将可产出5000片32层三维NAND闪存芯片;2019年，32层三维NAND闪存芯片产量将提升至每年10万片，当年年底试产64层三维NAND闪存芯片;2020年，64层三维NAND闪存芯片产能将提升至每年10万片，并研发具有全球先进水平的128层三维NAND闪存芯片。

　　长江存储重点聚焦的是64层3D NAND芯片。如果一切进展顺利，长江存储2019年开始量产64层的3D NAND闪存，届时他们与三星等大厂的差距就可缩短在2年以内。

　　福建晋华

　　国家重点支持DRAM存储器生产项目，由福建省电子信息集团及泉州、晋江两级政府共同投资。项目被国家纳入了“十三五”集成电路重大生产力布局规划项目列表，并获得首笔30亿元人民币的国家专项建设基金支持。

　　2016年5月，福建晋华宣布与联电合作，将结合台湾的半导体制造能力以及中国大陆的市场与资金。由联电在台湾进行技术研发，晋华提供DRAM特用装备，技术成果为双方所共同拥有，共同角逐市场份额。

　　有关媒体报道,福建晋华集成电路公司的生产线设备安装将于7月底完成，三季度实现大规模量产，预计达到6万片/月的产能规模。

　　合肥长鑫

　　早在2013年，合肥市政府便出台了《合肥市集成电路产业发展规划(2013—2020年)》。规划提出，合肥将重点发展芯片设计业和特色晶圆制造，计划到2020年，实现现综合产能超10万-15万片/月。

　　据Digitimes报道，合肥长鑫12英寸存储器晶圆制造基地所需的300台研发设备已基本全部到位，待装机完成之后，从2018年下半年开始便全力投入试生产的环节。

　　2018年4月15日，长鑫存储技术有限公司的董事长王宁国在合肥集成电路重大项目发布会上表示，合肥长鑫DRAM内存芯片一期(一厂厂房)已于2018年1月完成建设，并开始安装设备;2018年底就将开始生产8Gb DDR4存储器的工程样品;2019年底有望达到2万片/月的产能;2020年再开始规划二厂厂房的建设;2021年要完成对17nm工艺节点的技术研发。王宁国表示，希望 2018 年底第一个中国自主研发的 DRAM 芯片能够在合肥诞生。在将来，合肥长鑫希望凭借自身的DRAM IDM平台，来大力扶持处在行业上游的、国产半导体设备与材料的研发和产业化的进程。

　　业界预计，合肥长鑫存储项目正式投产后，将占据世界DRAM市场约8%的份额。